Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=75 V, 246 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 168-6020
- 制造商零件编号:
- IRFS7730TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 800 件）*
¥9,693.60
(不含税)
¥10,953.60
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年5月25日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 800 - 3200 | RMB12.117 | RMB9,693.60 |
| 4000 + | RMB11.753 | RMB9,402.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 168-6020
- 制造商零件编号:
- IRFS7730TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 246A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 271nC | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 246A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 271nC | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 9.65 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
StrongIRFET™ 功率 MOSFET，Infineon
Infineon 的 StrongIRFE 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。