STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=3 A, 3针, TO-220, MDmesh, SuperMESH系列

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RS 库存编号:
168-6216
制造商零件编号:
STP4NK80ZFP
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3A

最大漏源电压 Vd

800V

包装类型

TO-220

系列

MDmesh, SuperMESH

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.5Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22.5nC

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

最大功耗 Pd

25W

正向电压 Vf

1.6V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

10.4mm

高度

9.3mm

宽度

4.6mm

汽车标准

否

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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