Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 17 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, IRFU024NPBF, HEXFET系列
- RS Stock No.:
- 168-6296
- Mfr. Part No.:
- IRFU024NPBF
- Brand:
- Infineon
Bulk discount available
Subtotal (1 tube of 75 units)*
¥447.375
(exc. VAT)
¥505.50
(inc. VAT)
库存信息目前无法查询
Units | Per unit | Per Tube* |
|---|---|---|
| 75 - 300 | RMB5.965 | RMB447.38 |
| 375 + | RMB5.368 | RMB402.60 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 168-6296
- Mfr. Part No.:
- IRFU024NPBF
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 17A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | IPAK | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 75mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最大功耗 Pd | 45W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 宽度 | 2.39 mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 17A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 IPAK | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 75mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最大功耗 Pd 45W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 6.22mm | ||
宽度 2.39 mm | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，17A 最大连续漏极电流，45W 最大功率耗散 - IRFU024NPBF
这款高性能 N 沟道 MOSFET 适合各种电气应用。该元件的规格包括 17A 的最大连续漏极电流和 55V 的最大漏极-源极电压，对自动化和电子领域的专业人士非常重要。该设备可在高温环境下运行，因此在要求苛刻的项目中性能十分可靠。
特点和优势
• 最大功率耗散高达 45 瓦，可实现稳健运行
• 75mΩ 的低漏极-源极电阻可提高能效
• 最大栅极阈值为 4V，可提高性能
• 单晶体管配置简化了设计集成
• 专为通孔安装而设计，采用 TO-251 封装，便于安装
应用
• 用于电源管理系统以提高效率
• 高频开关的理想选择
• 适用于汽车电子设备，确保性能稳定
• 受雇于工业自动化控制系统
• 适用于电信，以保持信号完整性
支持的最大连续漏极电流是多少？
支持的最大连续漏极电流为 17A，适用于各种需要大功率处理能力的应用。
温度对性能有何影响？
该元件可在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内有效工作，确保在极端条件下的稳定性。
它能处理不同的栅源电压吗？
是的，它能适应 -20 V 至 +20 V 的栅极源极电压，为电路设计提供了灵活性。
低漏极-源极电阻有什么影响？
75mΩ 的低漏极-源极电阻可减少发热，提高效率，这对高性能应用至关重要。
N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。