STMicroelectronics N型沟道 增强型 SuperMESH 功率 MOSFET, Vds=600 V, 4 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SuperMESH系列

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RS 库存编号:
168-6689
制造商零件编号:
STB4NK60ZT4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

SuperMESH 功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

SuperMESH

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18.8nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±30 V

最大功耗 Pd

70W

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

150°C

高度

4.6mm

长度

10.4mm

宽度

9.35 mm

标准/认证

JEDEC JESD97

汽车标准

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics


MOSFET 晶体管,STMicroelectronics