制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型SuperMESH 功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=4 A, 3针, TO-263, SuperMESH系列

RS 库存编号:: 168-6689
制造商零件编号:: STB4NK60ZT4
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型SuperMESH 功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=4 A, 3针, TO-263, SuperMESH系列

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RS 库存编号:: 168-6689
制造商零件编号:: STB4NK60ZT4
制造商:: STMicroelectronics

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	SuperMESH功率MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	4A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	TO-263
	系列	SuperMESH
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	2Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	-30, +30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	18.8nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.6V
	最大功耗 Pd	70W
	最高工作温度	150°C
	高度	4.6mm
	长度	10.4mm
	宽度	9.35mm
	标准/认证	JEDEC JESD97
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 SuperMESH功率MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 4A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 TO-263
	系列 SuperMESH
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 2Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs -30, +30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18.8nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.6V
	最大功耗 Pd 70W
	最高工作温度 150°C
	高度 4.6mm
	长度 10.4mm
	宽度 9.35mm
	标准/认证 JEDEC JESD97
	汽车标准否

STMicroelectronics N沟道增强型SuperMESH 功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=4 A, 3针, TO-263, SuperMESH系列

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MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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