STMicroelectronics , 1 N型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 5 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, MDmesh M2系列, STP7N60M2
- RS 库存编号:
- 168-6995
- 制造商零件编号:
- STP7N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 制造商零件编号:
- STP7N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | MDmesh M2 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 950mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25, -25V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 MDmesh M2 | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 950mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25, -25V | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.4mm | ||
宽度 4.6mm | ||
高度 15.75mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 沟道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronics
STMicroelectronics 系列高压功率 MOSFET。 凭借其低栅极电荷和优异的输出电容特性，MDmesh M2 系列非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。