STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 10 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, MDmesh系列

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RS 库存编号:
168-7484
制造商零件编号:
STP10NM60N
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

10A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-220

系列

MDmesh

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

550mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

70W

最大栅源电压 Vgs

25 V

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

150°C

高度

15.75mm

标准/认证

No

宽度

4.6 mm

长度

10.4mm

汽车标准

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


MOSFET 晶体管,STMicroelectronics