STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 29 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, MDmesh系列

可享批量折扣

小计(1 管,共 50 件)*

¥1,945.80

(不含税)

¥2,198.75

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 650 件在 2025年12月17日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
Per Tube*
50 - 50RMB38.916RMB1,945.80
100 - 150RMB37.748RMB1,887.40
200 +RMB36.616RMB1,830.80

* 参考价格

RS 库存编号:
168-7506
制造商零件编号:
STP34NM60N
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

MDmesh

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

105mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

25 V

最大功耗 Pd

210W

正向电压 Vf

1.6V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

84nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

4.6 mm

高度

15.75mm

长度

10.4mm

汽车标准

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


MOSFET 晶体管,STMicroelectronics