STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=29 A, 3针, TO-220, MDmesh系列

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RS 库存编号:
168-7506
制造商零件编号:
STP34NM60N
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-220

系列

MDmesh

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

105mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

84nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

210W

最大栅源电压 Vgs

-25V, +25V

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

150°C

高度

15.75mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

标准/认证

No

汽车标准

否

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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