STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=120 V, Id=80 A, 3针, TO-220, STripFET系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计(1 管,共 50 件)*

RMB609.00

(不含税)

RMB688.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 1,700 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
Per Tube*
50 - 50RMB12.18RMB609.00
100 - 150RMB11.815RMB590.75
200 +RMB11.578RMB578.90

* 参考价格

RS 库存编号:
168-7519
制造商零件编号:
STP80NF12
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

120V

系列

STripFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

18mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

140nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

300W

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

高度

15.75mm

标准/认证

No

宽度

4.6mm

长度

10.4mm

汽车标准

否

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


相关链接