STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 29 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, MDmesh系列

可享批量折扣

小计(1 管,共 30 件)*

¥1,141.38

(不含税)

¥1,289.76

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 30 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
Per Tube*
30 - 30RMB38.046RMB1,141.38
60 - 90RMB36.905RMB1,107.15
120 +RMB35.798RMB1,073.94

* 参考价格

RS 库存编号:
168-7533
制造商零件编号:
STW34NM60N
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-247

系列

MDmesh

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

105mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

84nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

210W

最大栅源电压 Vgs

25 V

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

150°C

长度

15.75mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15mm

标准/认证

No

汽车标准

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


MOSFET 晶体管,STMicroelectronics