Toshiba N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=60 A, 3针, TO-220, TK系列
- RS 库存编号:
- 168-7778
- 制造商零件编号:
- TK40E06N1
- 制造商:
- Toshiba
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 168-7778
- 制造商零件编号:
- TK40E06N1
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | TK | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最大功耗 Pd | 67W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 长度 | 10.16mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.45mm | |
| 高度 | 15.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 TK | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 10.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最大功耗 Pd 67W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
长度 10.16mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.45mm | ||
高度 15.1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET 晶体管，Toshiba
相关链接
- Toshiba N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 60 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, TK系列, TK40E06N1
- Toshiba N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 105 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, TK58E06N1, TK系列
- Toshiba N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 43 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, TK30E06N1, TK系列
- Toshiba N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 30 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, TK30A06N1,S4X(S, TK系列
- Toshiba N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, TK100A06N1,S4X(S, TK系列
- Toshiba N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 43 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, TK系列
- Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 105 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, TK系列
- Toshiba N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, TK系列