Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 10.5 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
168-7928
制造商零件编号:
IRF7240TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

10.5A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SOIC

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

25mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

73nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2.5W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

-1.2V

最高工作温度

150°C

高度

1.5mm

宽度

4 mm

标准/认证

No

长度

5mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
PH

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，10.5A 最大连续漏极电流，40V 最大漏极源电压 - IRF7240TRPBF


这款 P 沟道 MOSFET 在电源管理解决方案中表现出色。它的最大连续漏极电流为 10.5A，漏极-源极电压为 40V，采用紧凑型 SOIC 封装，专为表面贴装而设计。它长 5 毫米、宽 4 毫米、高 1.5 毫米，适用于包括电池管理系统在内的各种电子应用。

特点和优势


• 支持高达 10.5A 的大电流负载，是高要求任务的理想之选

• 在增强模式下有效运行，提高控制效果

• 采用定制引线框架，专为热性能而设计

• 适用于多种应用，节省电路板空间

• 与红外线和波峰焊等标准焊接工艺兼容

应用


• 电池管理系统用于监测性能

• 用于需要高效功率控制的负载管理电路中

• 适用于对空间和效率要求较高的汽车领域

• 集成在电源中，可实现可靠的负载处理

该设备的主要热特性是什么？


该器件采用定制引线框架设计，具有更强的热特性，可在 -55°C 至 +150°C 的结温范围内舒适地工作。

导通电阻对整体性能有何影响？


这款 MOSFET 的 Rds(on) 值极低，仅为 25mΩ，可显著降低运行期间的功率损耗，从而提高电源电路的效率并改善散热。

该元件是否能用于高频应用？


是的，该器件的参数（如 10 V 时的典型栅极电荷为 73 nC）允许在高频应用中有效运行，使其适用于各种电子设备。

电路中的最佳使用应考虑哪些因素？


必须确保栅极-源极电压保持在 ±20V 的最大限制范围内，以防止损坏，从而在应用中保持器件的可靠性和性能。