Infineon , 2 N型, P型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 4 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 168-7929
- 制造商零件编号:
- IRF7309TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 168-7929
- 制造商零件编号:
- IRF7309TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 80mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| 最大功耗 Pd | 1.4W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 80mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.7nC | ||
最大功耗 Pd 1.4W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
标准/认证 No | ||
长度 5mm | ||
宽度 4 mm | ||
高度 1.5mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
双 N/P 通道功率 MOSFET，Infineon
Infineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N/P 通道配置。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。