Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 11 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 168-7942
- 制造商零件编号:
- IRFR9024NTRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 168-7942
- 制造商零件编号:
- IRFR9024NTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 175mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 38W | |
| 正向电压 Vf | -1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 175mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 38W | ||
正向电压 Vf -1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.22 mm | ||
高度 2.39mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，11A 最大连续漏极电流，38W 最大功率耗散 - IRFR9024NTRPBF
这款 P 沟道 MOSFET 采用 HEXFET 技术，可为各种电子应用提供高效性能。其坚固耐用的特性使其成为自动化、电子以及电气和机械行业用户的重要组件。该产品善于管理大电流负载，同时确保对电源电路的有效控制。
特点和优势
• 最大连续漏极电流为 11 安培，有利于高性能应用
• 可承受高达 55V 的漏极-源极电压，提高了可靠性
• RDS(on) 低至 175 mΩ，最大限度地减少了运行期间的功率损耗
• 增强模式设计优化了各种用途的效率
• DPAK TO-252 表面贴装封装简化了 PCB 集成和装配
应用
• 供电电路中的有效能源管理
• 适用于电机控制 需要大电流
• 用于直流-直流转换器，提高效率
• 理想的负载开关 由于反应迅速
• 用于工业自动化系统，提高可靠性
该元件的最大耗散功率是多少？
它的最大功率耗散能力为 38 瓦。
产品如何处理栅极电压？
栅极可承受 -20 V 至 +20 V 的电压，从而实现了设计灵活性。
设备的热性能如何？
它可在最高 150 °C 的温度下安全运行，确保在各种环境下的可靠性。
是否易于安装到 PCB 上？
是的，DPAK TO-252 封装可直接在印刷电路板上进行表面贴装。
这种 MOSFET 在不同温度下的性能如何？
它可在 -55 °C 至 +150 °C 的宽温度范围内保持功能，满足各种应用需求。