STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=5 A, 10针, PowerSO, LdmoST系列

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RS 库存编号:
168-8053
制造商零件编号:
PD55015-E
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

工作频率

1GHz

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

5A

最大漏源电压 Vd

40V

输出功率

15W

系列

LdmoST

包装类型

PowerSO

安装类型

表面

引脚数目

10

通道模式

增强

最低工作温度

65°C

晶体管配置

单

最高工作温度

165°C

宽度

9.5mm

长度

9.6mm

标准/认证

JEDEC Approved

高度

3.6mm

典型功率增益

14dB

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
MY

射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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