STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=2.5 A, 3针, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5系列

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RS 库存编号:
168-8631
制造商零件编号:
STP3N80K5
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

2.5A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

MDmesh K5, SuperMESH5

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.5Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

60W

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

30V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

9.5nC

最高工作温度

150°C

宽度

4.6mm

长度

10.4mm

标准/认证

No

高度

15.75mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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