Infineon , 2 N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=50 V, 3 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 168-8757
- 制造商零件编号:
- IRF7103TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRF7103TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 50V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 200mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3A | ||
最大漏源电压 Vd 50V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 200mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
宽度 4 mm | ||
长度 5mm | ||
高度 1.5mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，3A 最大连续漏极电流，2W 最大功率耗散 - IRF7103TRPBF
这款 MOSFET 专为实现各种应用的高效性能而设计。其耐用的结构尤其适用于需要有效电源管理的电路，因此适用于电气和自动化领域。它的最大漏极-源极电压为 50V，可确保可靠的开关能力，满足应用需求。
特点和优势
• 200mΩ 的低 Rds(on)，提高效率
• 3A 的最大连续漏极电流增强了功率处理能力
• 工作温度高达 +150°C ，可靠性更高
• 1V 至 3V 的宽栅极阈值范围，实现灵活控制
• 双隔离晶体管配置有助于电路集成
• 表面贴装设计可简化 PCB 组装并优化空间
应用
• 用于电源设计，实现高能效运行
• 集成到电机驱动器中 实现高效电机控制
• 用于开关电源，提高性能
• 适用于需要可靠开关元件的自动化系统
该元件的建议工作温度范围是多少？
该元件可在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内高效运行，确保在各种环境下的可靠性。
如何确定合适的栅极电压以实现最佳性能？
可接受的栅极源极电压范围为 -20V 至 +20V，为控制电路设计提供了灵活性。如典型的栅极电荷规格所示，为获得最佳效果，建议在 10V 附近运行。
使用该设备时应采取哪些安全预防措施？
重要的是，在操作过程中不要超过额定电压和电流，以避免潜在的故障或损坏。此外，可能还需要适当的散热装置，以便在重负载情况下保持最佳工作温度。
它能用于需要快速开关的电路中吗？
是的，这款 MOSFET 专为快速开关能力而设计，非常适合需要高速性能的应用，如电机驱动器中的 PWM 控制。
这种 MOSFET 是否与标准 PCB 布局兼容？
表面贴装设计符合标准的印刷电路板布局，便于集成到现有电路中，只需对贴装位置进行最小限度的调整。