STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 110 A, H2PAK-2, 贴片安装, 3引脚, DeepGate, STripFET系列
- RS 库存编号:
- 168-8819
- 制造商零件编号:
- STH150N10F7-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 110 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | DeepGate, STripFET | |
| 封装类型 | H2PAK-2 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 3.9 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大功率耗散 | 250 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 117 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 10.57mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 4.8mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 110 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 DeepGate, STripFET | ||
封装类型 H2PAK-2 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 3.9 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大功率耗散 250 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 117 nC @ 10 V | ||
宽度 10.57mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.4mm | ||
高度 4.8mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics