DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4.6 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, DMN2058U系列
- RS 库存编号:
- 168-9585
- 制造商零件编号:
- DMN2058U-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥2,409.00
(不含税)
¥2,721.00
(含税)
有库存
- 15,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB0.803 | RMB2,409.00 |
| 6000 - 9000 | RMB0.787 | RMB2,361.00 |
| 12000 + | RMB0.771 | RMB2,313.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 168-9585
- 制造商零件编号:
- DMN2058U-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4.6 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 系列 | DMN2058U | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 91 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大功率耗散 | 1.13 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.7 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4.6 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
系列 DMN2058U | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 91 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大功率耗散 1.13 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 7.7 nC @ 10 V | ||
宽度 1.4mm | ||
高度 1mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 MOSFET，12V 至 28V，Diodes Inc
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Diodes Inc.