DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=130 A, 3针, TO-220, DMN系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计(1 管,共 50 件)*

RMB447.60

(不含税)

RMB505.80

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2027年4月15日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
Per Tube*
50 - 50RMB8.952RMB447.60
100 - 150RMB8.772RMB438.60
200 +RMB8.597RMB429.85

* 参考价格

RS 库存编号:
168-9589
制造商零件编号:
DMNH6008SCT
制造商:
DiodesZetex
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

DiodesZetex

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

130A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

DMN

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

40nC

最大栅源电压 Vgs

12V

正向电压 Vf

0.7V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.13W

最高工作温度

175°C

宽度

2.5mm

标准/认证

No

长度

3mm

高度

1.1mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc


MOSFET 晶体管,Diodes Inc.


相关链接