Infineon , 1 P型, N型沟道 双 消耗型 MOSFET, Vds=55 V, 4.7 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, IRF7343PbF系列
- RS 库存编号:
- 170-2265
- 制造商零件编号:
- IRF7343TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 4000 件）*
¥10,820.00
(不含税)
¥12,228.00
(含税)
暂时缺货
- 4,000 件在 2026年3月26日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4000 - 16000 | RMB2.705 | RMB10,820.00 |
| 20000 + | RMB2.651 | RMB10,604.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-2265
- 制造商零件编号:
- IRF7343TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | IRF7343PbF | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 170mΩ | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24nC | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 正向电压 Vf | 0.96V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4.7A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 IRF7343PbF | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 170mΩ | ||
通道模式 消耗 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
正向电压 Vf 0.96V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 4 mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
不符合
Infineon IRF7343 是 55V 双 N 沟道和 P 沟道 HEXFET 功率 MOSFET ，采用 SO-8 封装。
符合 RoHS
低 RDS（接通）
动态 dv/dt 额定值
快速切换