Infineon , 1 P型, N型沟道 双 消耗型 MOSFET, Vds=55 V, 4.7 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, IRF7343PbF系列

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RS 库存编号:
170-2265
制造商零件编号:
IRF7343TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型, N型

最大连续漏极电流 Id

4.7A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

IRF7343PbF

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

170mΩ

通道模式

消耗

最大功耗 Pd

2W

正向电压 Vf

0.96V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

24nC

最低工作温度

-55°C

晶体管配置

双

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

1.5mm

长度

5mm

每片芯片元件数目

1

汽车标准

否

不符合

Infineon IRF7343 是 55V 双 N 沟道和 P 沟道 HEXFET 功率 MOSFET ，采用 SO-8 封装。

符合 RoHS

低 RDS（接通）

动态 dv/dt 额定值

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