Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 20.7 A, TO-220, 通孔安装, 4引脚, SPA20N60C3XKSA1, SPA20N60C3系列
- RS 库存编号:
- 170-2267
- 制造商零件编号:
- SPA20N60C3XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB16.046 | RMB802.30 |
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| 250 + | RMB15.253 | RMB762.65 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-2267
- 制造商零件编号:
- SPA20N60C3XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | SPA20N60C3 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 190mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 34.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 87nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 16.15mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.85 mm | |
| 长度 | 10.65mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20.7A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 SPA20N60C3 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 190mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 34.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 87nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 16.15mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.85 mm | ||
长度 10.65mm | ||
汽车标准 否 | ||
豁免
Infineon MOSFET
Infineon TO-3G1-3 通孔安装 N 通道 MOSFET 是一款新型老化产品、在 190mohm 栅源电压下具有 10V 的漏源电阻。MOSFET 具有 20.7A 的连续漏极电流。它的最大栅源电压为 20V 、漏源电压为 600V 。它的最大功耗为 34.5W 。 MOSFET 的驱动电压为 10V 。它经过优化、可降低开关和传导损耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及较长的使用寿命、而不会影响性能或功能。
特点和优势
• 易于使用
•经过现场验证的 CoolMOM 质量
•高效率和高功率密度
• Peak Current Capability
• 高可靠性
•提高了跨导性
•无铅 (Pb)
•低栅极电荷 (Qg)
•低特定于状态电阻
•工作温度范围在 -55°C 和 150°C 之间
•出色的成本 / 性能
•定期雪崩等级
•超低浇口电荷
•输出电容（ Eoss ） 400V 中的极低能量存储
应用
•适配器
• PC 电源
•服务器电源
• 电信
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• JEDEC