Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=250 V, 25 A, TO-252, 表面安装, 5引脚, IPD600N25N3 G系列

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RS 库存编号:
170-2288
制造商零件编号:
IPD600N25N3GATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

25A

最大漏源电压 Vd

250V

包装类型

TO-252

系列

IPD600N25N3 G

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

60mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.9V

最大功耗 Pd

136W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

长度

6.73mm

高度

2.41mm

宽度

7.47 mm

标准/认证

No

汽车标准

Infineon IPD600N25N3 G 是 250V OptiMOS 产品是性能领先的基准技术,特别适用于 48V 系统,直流 - 直流转换器,不间断电源 (UPS) 和直流电动机驱动器变频器中的同步整流。

行业最低的 R DS (on)

最低的 Q g 和 Q gd