Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 176 A, TO-263, 表面安装, 5引脚, IPB020N10N5系列
- RS 库存编号:
- 170-2293
- 制造商零件编号:
- IPB020N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 1000 件）*
¥22,355.00
(不含税)
¥25,261.00
(含税)
有库存
- 3,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 + | RMB22.355 | RMB22,355.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-2293
- 制造商零件编号:
- IPB020N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 176A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | IPB020N10N5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 168nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 长度 | 10.31mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 11.05 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 176A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 IPB020N10N5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 168nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.57mm | ||
长度 10.31mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 11.05 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IPB020N10N5 是 optiMOS 5 100V 功率 MOSFET ，采用 D2PAK 封装， RDS (接通) 低 22%。它专门设计用于电信块中的同步整流，包括 OR-ING ，热插拔和电池保护，以及用于服务器电源应用。
经优化可用于同步整流
特别适用于高切换频率
输出电容下降多达 44%