Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 300 A, HSOF, 表面安装, 9引脚, IPT015N10N5系列
- RS 库存编号:
- 170-2320
- 制造商零件编号:
- IPT015N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 2000 件）*
¥40,370.00
(不含税)
¥45,618.00
(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 + | RMB20.185 | RMB40,370.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-2320
- 制造商零件编号:
- IPT015N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 300A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | HSOF | |
| 系列 | IPT015N10N5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 169nC | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 宽度 | 10.58 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 300A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 HSOF | ||
系列 IPT015N10N5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 169nC | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.1mm | ||
宽度 10.58 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET
Infineon HSOF-8 表面安装 N 沟道 MOSFET 是一款新时代的产品，栅极源电压为 10V 时漏源电阻为 1.5mohm。MOSFET 具有 300A 的连续漏极电流。它的最大栅极源电压为 20V ，漏极源电压为 100V。它的最大功耗为 375W。 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 6V 和 10V。它经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•通过 100% 雪崩测试
•出色的栅极电荷 x RDS (接通) 产品 (FOM)
• 无卤素
•最高的系统效率
•特别适用于高切换频率
•提高功率密度
•无铅 (Pb) 镀层
•低电压过冲
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
•针对同步整流进行了优化
•输出电容降低高达 44%
• RDS (接通) 减少高达 44%
•极低接通电阻 RDS (接通)
应用
•适配器
•轻型电动车
•低电压驱动器
•服务器电源
• 太阳能
• 电信
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC