Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 4引脚, IPP075N15N3 G系列

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170-2323
制造商零件编号:
IPP075N15N3GXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

TO-220

系列

IPP075N15N3 G

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

7.7mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

70nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

300W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

高度

11.17mm

标准/认证

No

宽度

4.57 mm

长度

10.36mm

汽车标准

与位居第二的竞争对手相比,150V OptiMOS™ 的 R DS(on) 下降 40%,品质因数 (FOM) 下降 45%。这一重大改进提供了新的可能性,如从引线封装改为 SMD 封装或将两个旧部件有效替换为一个 OptiMOS™ 部件。

功能总结:

极佳的切换性能

世界最低的 R DS(on)

非常低的 Q g 和 Q gd

极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)

无卤

优点:

环保型

效率提高

最高功率密度

所需并联减少

最小板空间消耗

易于设计式产品

目标应用:

交流-直流 SMPS 的同步整流

48V–80V 系统(即国产车、电动工具、卡车)的电动机控制

隔离直流-直流转换器(电信和数据通信系统)

48V 系统中的 Or-ing 开关和断路器

D 类音频放大器

不间断电源 (UPS)