Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=40 A, 8针, TSDSON, BSZ097N10NS5系列
- RS 库存编号:
- 170-2342P
- 制造商零件编号:
- BSZ097N10NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 170-2342P
- 制造商零件编号:
- BSZ097N10NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TSDSON | |
| 系列 | BSZ097N10NS5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大功耗 Pd | 69W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TSDSON | ||
系列 BSZ097N10NS5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 13mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最大功耗 Pd 69W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.1mm | ||
长度 3.4mm | ||
宽度 3.4mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 的最新一代 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET 专门设计用于电信系统和服务器电源的同步整流。此外，这些器件还可用于其他工业应用，如太阳能、低电压驱动器和适配器。新款 OptiMOS™ 5 100V MOSFET 采用七种不同封装，提供业内最低的 R DS(on)
经优化可用于同步整流
特别适用于高切换频率
输出电容下降多达 44%
R DS(on) 下降多达 44%
优点：
最高系统效率
减少切换和传导损耗
所需并联减少
功率密度增加
低电压过冲
目标应用：
电信
服务器
太阳能
低电压驱动器
轻型电动车
适配器