MagnaChip N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 13 A, TO-220F, 通孔安装, 3引脚

品牌

MagnaChip

通道类型

N

最大连续漏极电流

13 A

最大漏源电压

500 V

封装类型

TO-220F

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

500 MΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最大功率耗散

41 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

37 nC @ 10 V

长度

10.71mm

宽度

4.93mm

每片芯片元件数目

1

高度

16.13mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.4V