Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 5.4 A, TO-236, 贴片安装, 3引脚, PMV30UN2系列
- RS 库存编号:
- 170-4846
- 制造商零件编号:
- PMV30UN2R
- 制造商:
- Nexperia
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-4846
- 制造商零件编号:
- PMV30UN2R
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5.4 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | TO-236 | |
| 系列 | PMV30UN2 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 100 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 0.9V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大功率耗散 | 5 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | 12 V | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V | |
| 高度 | 1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5.4 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 TO-236 | ||
系列 PMV30UN2 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 100 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 0.9V | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大功率耗散 5 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 12 V | ||
宽度 1.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V | ||
高度 1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
为您的便携式设计提供开关解决方案。多种高达 20 V 的单双 N 通道 MOSFET 可供选择。由于我们值得信赖的 TrenchMOS 和封装技术而具有出色的可靠性。易于使用，我们的低电压 MOSFET 专门设计用于满足具有低驱动电压的便携式应用的要求。
N 通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
低阈值电压
超快切换
增强型功耗能力为 1000 mW
目标应用
LED 驱动器
电源管理
低侧负载开关
开关电路
低阈值电压
超快切换
增强型功耗能力为 1000 mW
目标应用
LED 驱动器
电源管理
低侧负载开关
开关电路