Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 180 mA, TSSOP, 贴片安装, 6引脚, NX3020NAKS系列
- RS 库存编号:
- 170-4878
- 制造商零件编号:
- NX3020NAKS,115
- 制造商:
- Nexperia
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥1,353.00
(不含税)
¥1,530.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年6月15日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB0.451 | RMB1,353.00 |
| 6000 - 9000 | RMB0.442 | RMB1,326.00 |
| 12000 + | RMB0.429 | RMB1,287.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-4878
- 制造商零件编号:
- NX3020NAKS,115
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 180 mA | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | TSSOP | |
| 系列 | NX3020NAKS | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 13 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | |
| 最大功率耗散 | 1.1 W | |
| 最大栅源电压 | 20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.34 nC @ 4.5 V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 180 mA | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 TSSOP | ||
系列 NX3020NAKS | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 13 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最小栅阈值电压 0.8V | ||
最大功率耗散 1.1 W | ||
最大栅源电压 20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.34 nC @ 4.5 V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 1.35mm | ||
长度 2.2mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
在异步和同步系统之间提供坚固的接口连接。触发器是数码电子设备的基本存储元件。触发器只允许输出在触发边沿转换时变化，可在异步和同步系统之间提供坚固的接口。有正负沿触发选项可供选择，设计灵活性增强。
双 N 通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用极小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用 Trench MOSFET 技术。
超快切换
Trench MOSFET 技术
ESD 保护
低阈值电压
目标应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路
Trench MOSFET 技术
ESD 保护
低阈值电压
目标应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路