Nexperia N沟道增强型沟槽 MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=180 mA, 6针, TSSOP, NX3020NAKS系列
- RS 库存编号:
- 170-4878
- 制造商零件编号:
- NX3020NAKS,115
- 制造商:
- Nexperia
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB1,257.00
(不含税)
RMB1,419.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年9月27日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB0.419 | RMB1,257.00 |
| 6000 - 9000 | RMB0.411 | RMB1,233.00 |
| 12000 + | RMB0.399 | RMB1,197.00 |
* 参考价格
替代产品
该产品我们目前不提供。 这是我们推荐的替代产品。
个（每带 3000 ）
RMB1,899.00
(不含税)
RMB2,145.87
(含税)
- RS 库存编号:
- 170-4878
- 制造商零件编号:
- NX3020NAKS,115
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | 沟槽型MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TSSOP | |
| 系列 | NX3020NAKS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 1.1W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 沟槽型MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180mA | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TSSOP | ||
系列 NX3020NAKS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 13Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 1.1W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.26nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 +150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.35mm | ||
长度 2.2mm | ||
高度 1mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
在异步和同步系统之间提供坚固的接口连接。触发器是数码电子设备的基本存储元件。触发器只允许输出在触发边沿转换时变化，可在异步和同步系统之间提供坚固的接口。有正负沿触发选项可供选择，设计灵活性增强。
双 N 通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用极小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用 Trench MOSFET 技术。
超快切换
Trench MOSFET 技术
ESD 保护
低阈值电压
目标应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路
相关链接
- Nexperia , 2 N沟道 双 增强型 沟槽 MOSFET, Vds=30 V, 180 mA, TSSOP, 表面安装, 6引脚, NX3020NAKS系列, NX3020NAKS,115
- Nexperia , 2 P型, N型沟道 双 增强型 沟槽 MOSFET, Vds=30 V, 350 mA, SC-88, 表面安装, 6引脚, NX3008CBKS系列, NX3008CBKS,115
- Nexperia , 2 P型, N型沟道 双 增强型 沟槽 MOSFET, Vds=30 V, 350 mA, SC-88, 表面安装, 6引脚, NX3008CBKS系列
- Nexperia , 2 N沟道 双 增强型 沟槽 MOSFET, Vds=60 V, 260 mA, DFN, 表面安装, 8引脚, Trench MOSFET系列, NX7002BKXBZ
- Nexperia , 2 N沟道 双 增强型 沟槽 MOSFET, Vds=60 V, 260 mA, DFN, 表面安装, 8引脚, Trench MOSFET系列
- Nexperia P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 230 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, NX3008PBK,215, NX3008PBK系列
- Nexperia P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 200 mA, SC-70, 表面安装, 3引脚, NX3008PBKW,115, NX3008PBKW系列
- Nexperia P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, NX2301P,215, NX2301P系列