Nexperia , 2 N型沟道 双 增强型 沟槽 MOSFET, Vds=30 V, 180 mA, TSSOP, 表面安装, 6引脚, NX3020NAKS系列
- RS 库存编号:
- 170-4878
- 制造商零件编号:
- NX3020NAKS,115
- 制造商:
- Nexperia
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|---|---|---|
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| 6000 - 9000 | RMB0.411 | RMB1,233.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-4878
- 制造商零件编号:
- NX3020NAKS,115
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | 沟槽 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | NX3020NAKS | |
| 包装类型 | TSSOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 1.1W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 沟槽 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 180mA | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 NX3020NAKS | ||
包装类型 TSSOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 13Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.26nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 1.1W | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
标准/认证 No | ||
长度 2.2mm | ||
高度 1mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
在异步和同步系统之间提供坚固的接口连接。触发器是数码电子设备的基本存储元件。触发器只允许输出在触发边沿转换时变化，可在异步和同步系统之间提供坚固的接口。有正负沿触发选项可供选择，设计灵活性增强。
在异步和同步系统之间提供坚固的接口连接。触发器是数码电子设备的基本存储元件。触发器只允许输出在触发边沿转换时变化，可在异步和同步系统之间提供坚固的接口。有正负沿触发选项可供选择，设计灵活性增强。
双 N 通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用极小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用 Trench MOSFET 技术。
双 N 通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用极小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用 Trench MOSFET 技术。
超快切换
Trench MOSFET 技术
ESD 保护
低阈值电压
目标应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路
超快切换
Trench MOSFET 技术
ESD 保护
低阈值电压
目标应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
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