Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 16.7 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, BUK9Y59系列
- RS 库存编号:
- 170-4900
- 制造商零件编号:
- BUK9Y59-60E,115
- 制造商:
- Nexperia
小计（1 卷，共 1500 件）*
¥4,774.50
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1500 + | RMB3.183 | RMB4,774.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-4900
- 制造商零件编号:
- BUK9Y59-60E,115
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 16.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | BUK9Y59 | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 133mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 37W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 宽度 | 4.1 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 16.7A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 BUK9Y59 | ||
包装类型 LFPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 133mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 37W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.1nC | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.05mm | ||
长度 5mm | ||
宽度 4.1 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
从驱动简单的车灯到发动机、车身或底盘应用中功率控制的复杂需求，Nexperia 功率半导体可以解决许多汽车系统的功率问题。
从驱动简单的车灯到发动机、车身或底盘应用中功率控制的复杂需求，Nexperia 功率半导体可以解决许多汽车系统的功率问题。
由于额定温度为 175°C，因此 MOSFET 主要应用于对热量要求苛刻的应用环境：电子助力转向发动机管理、集成式起动器发电机传输控制、汽车照明制动 (ABS) 气候控制
由于额定温度为 175°C，因此 MOSFET 主要应用于对热量要求苛刻的应用环境：电子助力转向发动机管理、集成式起动器发电机传输控制、汽车照明制动 (ABS) 气候控制
逻辑电平 N 通道 MOSFET 采用 LFPAK56 (Power SO8) 封装，使用 TrenchMOS 技术。此产品设计用于高性能汽车应用。
逻辑电平 N 通道 MOSFET 采用 LFPAK56 (Power SO8) 封装，使用 TrenchMOS 技术。此产品设计用于高性能汽车应用。
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175 °C，适用于对热量要求苛刻的环境
逻辑高电平驱动，在 175 °C 时，栅极 VGS(th) 额定值大于 0.5 V
12 V 汽车系统
电动机、灯和电磁阀控制
传输控制
超高性能功率开关
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175 °C，适用于对热量要求苛刻的环境
逻辑高电平驱动，在 175 °C 时，栅极 VGS(th) 额定值大于 0.5 V
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超高性能功率开关