Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 184 A, LFPAK, 表面安装, 5引脚, BUK9Y19-55B,115, BUK9Y19系列

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170-5335
制造商零件编号:
BUK9Y19-55B,115
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

184A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

LFPAK

系列

BUK9Y19

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

40mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18nC

最大栅源电压 Vgs

15 V

最大功耗 Pd

85W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

5mm

宽度

4.1 mm

标准/认证

No

高度

1.05mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
PH
从驱动简单的车灯到发动机、车身或底盘应用中功率控制的复杂需求,Nexperia 功率半导体可以解决许多汽车系统的功率问题。

由于额定温度为 175°C,因此 MOSFET 主要应用于对热量要求苛刻的应用环境:电子助力转向发动机管理、集成式起动器发电机传输控制、汽车照明制动 (ABS) 气候控制

逻辑电平 N 通道增强模式场效应晶体管 (FET),采用塑料封装,使用 TrenchMOS 技术。此产品设计用于要求严格的汽车应用。

由于具有低导通电阻,因此传导损耗低,适用于逻辑电平栅极驱动源。凭借 175 °C、12 V 和 24 V 额定负载,适用于对热量要求苛刻的环境。汽车系统、通用电源切换、电动机、灯具和电磁阀