Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 335 mA, TO-236, 贴片安装, 3引脚, BSH111BK系列
- RS 库存编号:
- 170-5339
- 制造商零件编号:
- BSH111BKR
- 制造商:
- Nexperia
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-5339
- 制造商零件编号:
- BSH111BKR
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 335 mA | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 封装类型 | TO-236 | |
| 系列 | BSH111BK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 8.1 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大功率耗散 | 1.45 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V | |
| 长度 | 3mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 335 mA | ||
最大漏源电压 55 V | ||
封装类型 TO-236 | ||
系列 BSH111BK | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 8.1 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.3V | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大功率耗散 1.45 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.5 nC @ 4.5 V | ||
长度 3mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.4mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
逻辑电平和标准电平 MOSFET，提供各种封装。我们的 MOSFET 坚固且易于使用，其样品的电压范围为 40 V 至 60 V。它们特别适合对空间和功率要求严苛的应用，提供极佳的开关性能和领先同类产品的安全工作区 (SOA)。
N 通道增强模式场效应晶体管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面安装设备 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术
低阈值电压
超快切换
Trench MOSFET 技术
静电放电 (ESD) 保护：> 3 kV HBM
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路
超快切换
Trench MOSFET 技术
静电放电 (ESD) 保护：> 3 kV HBM
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路