Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 7.2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, PMV20XNER, PMV20XNE系列
- RS 库存编号:
- 170-5372
- 制造商零件编号:
- PMV20XNER
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | RMB1.129 | RMB28.23 |
| 750 - 1475 | RMB1.095 | RMB27.38 |
| 1500 + | RMB1.062 | RMB26.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-5372
- 制造商零件编号:
- PMV20XNER
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | PMV20XNE | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 38mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 6.94W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 7.2A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 PMV20XNE | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 38mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.4nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 6.94W | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.4 mm | ||
长度 3mm | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
在异步和同步系统之间提供坚固的接口连接。触发器是数码电子设备的基本存储元件。触发器只允许输出在触发边沿转换时变化，可在异步和同步系统之间提供坚固的接口。有正负沿触发选项可供选择，设计灵活性增强。
N 通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
低阈值电压
增强型功耗能力为 1200 mW
静电放电 (ESD) 保护：2 kV HBM
目标应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路