Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 5.4 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, PMV30UN2系列
- RS 库存编号:
- 170-5432P
- 制造商零件编号:
- PMV30UN2R
- 制造商:
- Nexperia
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 170-5432P
- 制造商零件编号:
- PMV30UN2R
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | PMV30UN2 | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 100mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5.4A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 PMV30UN2 | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 100mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.2nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 5W | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.4 mm | ||
长度 3mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
为您的便携式设计提供开关解决方案。多种高达 20 V 的单双 N 通道 MOSFET 可供选择。由于我们值得信赖的 TrenchMOS 和封装技术而具有出色的可靠性。易于使用，我们的低电压 MOSFET 专门设计用于满足具有低驱动电压的便携式应用的要求。
N 通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
低阈值电压
超快切换
增强型功耗能力为 1000 mW
目标应用
LED 驱动器
电源管理
低侧负载开关
开关电路