Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 16.7 A, LFPAK,SOT-669, 贴片安装, 4引脚, BUK9Y59系列

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包装方式:
RS 库存编号:
170-5446P
制造商零件编号:
BUK9Y59-60E,115
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

通道类型

N

最大连续漏极电流

16.7 A

最大漏源电压

60 V

系列

BUK9Y59

封装类型

LFPAK,SOT-669

安装类型

贴片

引脚数目

4

最大漏源电阻值

133 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.45V

最小栅阈值电压

0.5V

最大功率耗散

37 W

晶体管配置

最大栅源电压

10 V

宽度

4.1mm

最高工作温度

+175 °C

典型栅极电荷@Vgs

6.1 nC @ 5 V

长度

5mm

每片芯片元件数目

1

汽车标准

AEC-Q101

最低工作温度

-55 °C

高度

1.05mm

COO (Country of Origin):
PH
从驱动简单的车灯到发动机、车身或底盘应用中功率控制的复杂需求,Nexperia 功率半导体可以解决许多汽车系统的功率问题。

由于额定温度为 175°C,因此 MOSFET 主要应用于对热量要求苛刻的应用环境:电子助力转向发动机管理、集成式起动器发电机传输控制、汽车照明制动 (ABS) 气候控制

逻辑电平 N 通道 MOSFET 采用 LFPAK56 (Power SO8) 封装,使用 TrenchMOS 技术。此产品设计用于高性能汽车应用。

重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175 °C,适用于对热量要求苛刻的环境
逻辑高电平驱动,在 175 °C 时,栅极 VGS(th) 额定值大于 0.5 V
12 V 汽车系统
电动机、灯和电磁阀控制
传输控制
超高性能功率开关

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。