Vishay N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=8 A, 8针, SOIC, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
170-8297
制造商零件编号:
SQ4920EY-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

TrenchFET

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

17.5mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19.7nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

4.4W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.75V

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

4mm

高度

1.5mm

长度

5mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

双 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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