Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 8 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SQ Rugged系列
- RS 库存编号:
- 170-8306
- 制造商零件编号:
- SQS462EN-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥9,717.00
(不含税)
¥10,980.00
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 3,000 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB3.239 | RMB9,717.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-8306
- 制造商零件编号:
- SQS462EN-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 系列 | SQ Rugged | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 135mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 33W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.82V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerPAK 1212 | ||
系列 SQ Rugged | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 135mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 33W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.82V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.12mm | ||
宽度 3.4 mm | ||
长度 3.4mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
N 通道 MOSFET，汽车 SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor
来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。
SQ 坚固系列 MOSFET 的优点
• 符合 AEC-Q101 标准
• 接点温度高达 +175°C
• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术
• 创新型节省空间封装选项
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101