Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 12 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, SQ4850EY-T1-GE3, SQ Rugged系列

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RS 库存编号:
170-8409
制造商零件编号:
SQ4850EY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

SQ Rugged

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

47mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

6.8W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

长度

5mm

标准/认证

No

高度

1.55mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET，汽车 SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor


来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

SQ 坚固系列 MOSFET 的优点


• 符合 AEC-Q101 标准

• 接点温度高达 +175°C

• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术

• 创新型节省空间封装选项

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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