Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=75 V, 130 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF1407PbF系列
- RS 库存编号:
- 171-1902
- 制造商零件编号:
- IRF1407PBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 171-1902
- 制造商零件编号:
- IRF1407PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 130 A | |
| 最大漏源电压 | 75 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 系列 | IRF1407PbF | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 7.8 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 330 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | 20 V | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 16.51mm | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 130 A | ||
最大漏源电压 75 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
系列 IRF1407PbF | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 7.8 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 330 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 20 V | ||
宽度 4.83mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V | ||
长度 10.67mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 16.51mm | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
HEXFET® 功率 MOSFET 的这一条纹平面设计最新加工工艺在单位硅面积实现极低导通电阻。此 HEXFET 功率 MOSFET 的其他功能包括 175°C 结点工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些优势相结合，形成这款极其高效且可靠的设备，适合用于各种应用。
优点：
低 RDS（接通）
动态 dv/dt 额定值
快速切换
175°C 工作温度
目标应用：
消费全桥
全桥
推挽式