Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 8 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SI4435DYTRPBF, Si4435DYPbF系列
- RS 库存编号:
- 171-1913P
- 制造商零件编号:
- SI4435DYTRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1000 - 1990 | RMB4.296 |
| 2000 + | RMB4.168 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-1913P
- 制造商零件编号:
- SI4435DYTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | Si4435DYPbF | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 35mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 40nC | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 Si4435DYPbF | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 35mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 40nC | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 4 mm | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||
不符合
Infineon SI4435DY 是 30V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET ，采用 SO-8 封装。International Rectifier 的这些 P 沟道 HEXFET 功率 MOSFET 利用 Advanced 处理技术实现每硅区域极低接通电阻。
P 沟道 MOSFET
表面安装
提供胶带和卷装
无导线