Name: Infineon N/P沟道耗尽型MOS管, Vds=55 V, 3.4 A，4.7 A, SO-8, 贴片安装, 8引脚, IRF7343PbF系列
Brand: Infineon
SKU: 171-1915
Price: 7.50 CNY
Availability: OutOfStock

不符合

Infineon IRF7343 是 55V 双 N 沟道和 P 沟道 HEXFET 功率 MOSFET ，采用 SO-8 封装。

符合 RoHS
低 RDS（接通）
动态 dv/dt 额定值
快速切换

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N，P
	最大连续漏极电流	3.4 A，4.7 A
	最大漏源电压	55 V
	封装类型	SO-8
	系列	IRF7343PbF
	安装类型	贴片
	引脚数目	8
	最大漏源电阻值	0.065 Ω ， 0.17 Ω
	通道模式	耗尽
	最小栅阈值电压	1V
	最大功率耗散	2 W
	最大栅源电压	20 V
	宽度	4mm
	每片芯片元件数目	1
	典型栅极电荷@Vgs	2.3 nC @ 10 V、24 nC @ 10 V
	长度	5mm
	最高工作温度	+150 °C
	正向二极管电压	1.2V
	高度	1.5mm
	最低工作温度	-55 °C

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N，P
	最大连续漏极电流 3.4 A，4.7 A
	最大漏源电压 55 V
	封装类型 SO-8
	系列 IRF7343PbF
	安装类型贴片
	引脚数目 8
	最大漏源电阻值 0.065 Ω ， 0.17 Ω
	通道模式耗尽
	最小栅阈值电压 1V
	最大功率耗散 2 W
	最大栅源电压 20 V
	宽度 4mm
	每片芯片元件数目 1
	典型栅极电荷@Vgs 2.3 nC @ 10 V、24 nC @ 10 V
	长度 5mm
	最高工作温度 +150 °C
	正向二极管电压 1.2V
	高度 1.5mm
	最低工作温度 -55 °C

Infineon N/P沟道耗尽型MOS管, Vds=55 V, 3.4 A，4.7 A, SO-8, 贴片安装, 8引脚, IRF7343PbF系列

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。