制造商编号

Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 20.7 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS™系列

RS 库存编号:: 171-1920
制造商零件编号:: SPA20N60C3XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 20.7 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS™系列

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制造商零件编号:: SPA20N60C3XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	20.7 A
	最大漏源电压	650 V
	系列	CoolMOS™
	封装类型	TO-220 FP
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	190 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	3.9V
	最小栅阈值电压	2.1V
	最大功率耗散	34.5 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	30 V
	每片芯片元件数目	1
	典型栅极电荷@Vgs	87 nC @ 10 V
	最高工作温度	+150 °C
	宽度	4.85mm
	长度	10.65mm
	典型功率增益	0
	最低工作温度	-55 °C
	正向二极管电压	0
	高度	16.15mm

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 20.7 A
	最大漏源电压 650 V
	系列 CoolMOS™
	封装类型 TO-220 FP
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 190 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 3.9V
	最小栅阈值电压 2.1V
	最大功率耗散 34.5 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 30 V
	每片芯片元件数目 1
	典型栅极电荷@Vgs 87 nC @ 10 V
	最高工作温度 +150 °C
	宽度 4.85mm
	长度 10.65mm
	典型功率增益 0
	最低工作温度 -55 °C
	正向二极管电压 0
	高度 16.15mm

Infineon MOSFET

Infineon 通孔安装 N 沟道 MOSFET 是一种新时代的产品，栅极源电压为 10V 时漏 - 源电阻为 190mohm。MOSFET 具有 20.7A 的连续漏极电流。它的最大栅极源电压为 20V ，漏极源电压为 600V。它的最大功耗为 71W。 MOSFET 的驱动电压为 10V。它经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

特点和优势

• 易于使用
•经过现场验证的 CoolMOS 质量
•高效率和功率密度
• 高可靠性
•低栅极电荷 (Qg)
•低特定通态电阻
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•卓越的的性能成本
•输出电容 (Eoss) 在 400V 时具有极低能量存储

应用

•适配器
• PC 电源
•服务器电源
• 电信

认证

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• JEDEC