Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 90 A, TO-252, 表面安装, 5引脚, IPD053N08N3 G系列
- RS 库存编号:
- 171-1937P
- 制造商零件编号:
- IPD053N08N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 630 件 (以卷装提供)*
¥5,120.01
(不含税)
¥5,785.92
(含税)
有库存
- 8,950 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 630 - 1240 | RMB8.127 |
| 1250 + | RMB7.884 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-1937P
- 制造商零件编号:
- IPD053N08N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 90A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD053N08N3 G | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 52nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 7.36 mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 90A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD053N08N3 G | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 52nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.41mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 7.36 mm | ||
长度 6.73mm | ||
汽车标准 否 | ||
不适用
Infineon MOSFET
Infineon 至 -252-3 表面安装 N 沟道 MOSFET 是一款新时代的产品，栅极源电压为 10V 时漏 - 源电阻为 5.3mohm。MOSFET 具有 90A 的连续漏极电流。它的最大栅极源电压为 20V ，漏极源电压为 80V。它的最大功耗为 150W。 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 6V 和 10V。它经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 可处理具有挑战性的应用，在有限空间内提供完全灵活性。它设计用于满足和超越计算机应用中更清晰的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•双面冷却
•出色的栅极电荷 x RDS (接通) 产品 (FOM)
•无铅 (Pb) 镀层
•低寄生电感
•薄型 (<0 ， 7mm)
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
•优化的直流 - 直流转换器技术
•卓越的耐热性
应用
•交流 - 直流
•适配器
•直流 - 直流
• LED
• 电动机控制
• PC 电源
•服务器电源
• SMPS
• 太阳能
• 电信
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC