Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 90 A, TO-252, 表面安装, 5引脚, IPD068N10N3 G系列
- RS 库存编号:
- 171-1939P
- 制造商零件编号:
- IPD068N10N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 171-1939P
- 制造商零件编号:
- IPD068N10N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 90A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | IPD068N10N3 G | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 51nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 7.47 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 90A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 IPD068N10N3 G | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 12.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.41mm | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 7.47 mm | ||
汽车标准 否 | ||
不适用
Infineon MOSFET
Infineon PG-to-252-3 表面安装 N 沟道 MOSFET 是一款新时代的产品，栅极源电压为 10V 时漏源电阻为 6.8mohm。MOSFET 具有 90A 的连续漏极电流。它的最大栅极源电压为 20V ，漏极源电压为 100V。它的最大功耗为 71W。 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 6V 和 10V。它经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•易于设计的产品
• 环保
•出色的栅极电荷 x RDS (接通) 产品 (FOM)
•出色的切换性能
• 无卤素
•最高功率密度
• 效率提高
•无铅 (Pb) 镀层
•所需并联更少
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
•最小板空间消耗
•非常低的 Qg 和 Qgd
•全球最低 RDS (接通)
应用
• D 类音频放大器
•隔离直流 - 直流转换器 (电信和数据通信系统)
•用于 48V-80V 系统 (家用车辆，电动工具，卡车) 的电动机控制
• 48V 系统中的 O 形圈开关和断路器
•同步整流器
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC