Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 5引脚, IPD200N15N3GATMA1, IPD200N15N3 G系列
- RS 库存编号:
- 171-1945P
- 制造商零件编号:
- IPD200N15N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 171-1945P
- 制造商零件编号:
- IPD200N15N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | IPD200N15N3 G | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 宽度 | 9.45 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 IPD200N15N3 G | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 20mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.57mm | ||
宽度 9.45 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.36mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IPD200N15N3 G 为 150V ，与下一个最佳竞争对手相比， OptiMOS 实现了 40% 和 45% 的 R DS (on) 降低。这一重大改进带来了新的可能性，例如从引线封装迁移到 SMD 封装，或将两个旧部件有效地替换为一个 OptiMOS 部件。
极佳的切换性能
全球最低的 R DS (on)