Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=250 V, Id=25 A, 5针, TO-252, IPD600N25N3 G系列
- RS 库存编号:
- 171-1948P
- 制造商零件编号:
- IPD600N25N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 171-1948P
- 制造商零件编号:
- IPD600N25N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD600N25N3 G | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 136W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 宽度 | 7.47mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD600N25N3 G | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 60mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 136W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.41mm | ||
宽度 7.47mm | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IPD600N25N3 G 系列 MOSFET，250V 最大漏源电压，25A 最大连续漏极电流 - IPD600N25N3GATMA1
该 MOSFET 是一款高压 N 通道晶体管，专为紧凑型表面安装组件中的功率开关和转换任务而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于需要可靠漏源电压处理和中等连续电流能力，同时保持高效开关特性的应用。
特性和优点：
• 250V漏源额定电压，支持高压开关应用
• 60 mΩ RDS(on) 可减少传导损耗，从而提高效率
• 25A 连续漏极电流支持持续负载运行
• 22 nC 典型栅极电荷，可实现有效开关控制
• 0.9V正向电压可最大限度降低二极管导通损耗
• 136W 最大功耗，可实现高功率处理
• 60 mΩ RDS(on) 可减少传导损耗，从而提高效率
• 25A 连续漏极电流支持持续负载运行
• 22 nC 典型栅极电荷，可实现有效开关控制
• 0.9V正向电压可最大限度降低二极管导通损耗
• 136W 最大功耗，可实现高功率处理
应用
• 适用于 DC-DC 转换器功率级
• 适用于电机驱动变频器开关
• 用于开关模式电源的一次侧开关
• 可用于电池管理和配电
• 适用于高压继电器和电磁阀驱动器
• 适用于电机驱动变频器开关
• 用于开关模式电源的一次侧开关
• 可用于电池管理和配电
• 适用于高压继电器和电磁阀驱动器
它在运行过程中能耐受哪种热环境？
其额定工作温度范围为 -55 °C 至 175 °C，可用于冷启动和高温安装。
它如何安装在组件上？
该设备采用 TO-252 封装，配置用于表面安装，便于在紧凑型电路板上集成。
应注意哪些栅极驱动限制？
栅源电压不得超过 20V，以防止栅极过应力，因此应相应选择栅极驱动器。
有多少电气连接可用于电路布局？
该组件配备五个引脚，提供多个连接点，以考虑漏极、源极、栅极和安装情况。