Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=176 A, 5针, TO-263, IPB020N10N5系列
- RS 库存编号:
- 171-1955P
- 制造商零件编号:
- IPB020N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 171-1955P
- 制造商零件编号:
- IPB020N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 176A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | IPB020N10N5 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 168nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.31mm | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 宽度 | 11.05mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 176A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 IPB020N10N5 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 168nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.31mm | ||
高度 4.57mm | ||
宽度 11.05mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IPB020N10N5 系列 MOSFET，100V 最大漏源电压，176A 最大连续漏极电流 - IPB020N10N5ATMA1
该 MOSFET 是一款高电流 N 通道增强型设备，专为苛刻热环境中的表面安装功率转换和开关职责而设计。它提供低导通电阻和适度的正向电压，支持高效的能量传输，其封装和引脚数量适用于自动化组装和热管理策略。
特性和优点：
• 2.5mΩ Rds(on) 可减少传导损耗并提高效率
• 100V 漏级额定值，支持中压系统使用
• 176A 连续电流能力，支持重载开关
• 168nC 典型栅极电荷，可优化开关控制
• 375W 功耗，可实现持续的高功率运行
• 工作温度范围宽达 -55°C 至 175°C，可耐受恶劣温度
• 100V 漏级额定值，支持中压系统使用
• 176A 连续电流能力，支持重载开关
• 168nC 典型栅极电荷，可优化开关控制
• 375W 功耗，可实现持续的高功率运行
• 工作温度范围宽达 -55°C 至 175°C，可耐受恶劣温度
应用
• 适用于同步降压转换器功率级
• 非常适用于电机驱动半桥配置
• 与服务器电源和电信整流器配合使用
• 可用于电池管理和高电流开关
• 适用于工业变频器和牵引辅助系统
• 非常适用于电机驱动半桥配置
• 与服务器电源和电信整流器配合使用
• 可用于电池管理和高电流开关
• 适用于工业变频器和牵引辅助系统
PCB 组装需要采用哪种安装方式？
它采用 TO-263 表面安装封装，专为在铜接地 PCB 上进行回流焊接而设计，便于导热。
栅极电压容差如何影响驱动电路选择？
栅源额定值允许高达 20V 的驱动振幅，因此应选择栅极驱动器以避免超过该限值，同时提供足够的 Vgs 以实现低 Rds(on)。
建议注意哪些热管理因素？
由于具有 375W 耗散能力，设计人员应使用足够的铜面积、热过孔和散热片，在连续高电流运行期间将热量从封装中排出。
有多少连接可用于电路集成？
该设备具有五个引脚，可在多引脚 TO-263 布局中提供传统电源和栅极接口。