Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=250 V, 64 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB64N25S320ATMA1, IPB64N25S3-20系列
- RS 库存编号:
- 171-1959
- 制造商零件编号:
- IPB64N25S320ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-1959
- 制造商零件编号:
- IPB64N25S320ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 64A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | IPB64N25S3-20 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 67nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.4mm | |
| 长度 | 10mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 10.25 mm | |
| 汽车标准 | AEC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 64A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 IPB64N25S3-20 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 20mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 67nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.4mm | ||
长度 10mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 10.25 mm | ||
汽车标准 AEC | ||
Infineon IPB64N25S3-20 是 250V ， N 沟道汽车 MOSFET。该设备的封装类型为 D2PAK 3 引脚和 175°C 工作温度。
N 通道 - 增强模式
AEC 合格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接