Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=250 V, Id=64 A, 3针, TO-263, IPB64N25S3-20系列
- RS 库存编号:
- 171-1959P
- 制造商零件编号:
- IPB64N25S320ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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- RS 库存编号:
- 171-1959P
- 制造商零件编号:
- IPB64N25S320ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 64A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 系列 | IPB64N25S3-20 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 67nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 10.25mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10mm | |
| 高度 | 4.4mm | |
| 汽车标准 | AEC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 64A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
系列 IPB64N25S3-20 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 20mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 67nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 10.25mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10mm | ||
高度 4.4mm | ||
汽车标准 AEC | ||
Infineon IPB64N25S3-20 系列 MOSFET，250V 最大漏源电压，64A 最大连续漏极电流 - IPB64N25S320ATMA1
该 MOSFET 是一款高压 N 通道半导体设备，专为苛刻电子系统中的开关和功率转换应用而设计。它可在非常宽的温度范围内工作，并采用 TO-263 封装设计，用于表面安装部署，因此适用于需要稳健功率处理的紧凑型组件。
特性和优点：
• 250V漏极额定值可实现高压开关能力
• 64A 持续漏极电流，支持大电流负载
• 20mΩ Rds(on) 可在运行过程中最大限度减少传导损耗
• 300W 功耗，支持持续的热负载
• 67nC 典型栅极电荷，确保可预测的开关特性
• 20V 栅极电压额定值可保持安全的栅极驱动余量
• 64A 持续漏极电流，支持大电流负载
• 20mΩ Rds(on) 可在运行过程中最大限度减少传导损耗
• 300W 功耗，支持持续的热负载
• 67nC 典型栅极电荷，确保可预测的开关特性
• 20V 栅极电压额定值可保持安全的栅极驱动余量
应用
• 适用于汽车功率转换模块
• 适用于高电流 DC-DC 转换器
• 与电机驱动变频器级配合使用
• 可用于服务器和电信设备的电源
• 适用于高温工业电子设备
• 适用于高电流 DC-DC 转换器
• 与电机驱动变频器级配合使用
• 可用于服务器和电信设备的电源
• 适用于高温工业电子设备
该设备在恶劣环境中能够耐受的温度范围是多少？
它能在 -55°C 至 175°C 的环境端点下工作，可用于极端温度应用，并减少广泛的热保护需求。
封装对 PCB 组装和冷却有何影响？
TO-263 表面安装外形提供薄型安装选项，并提供大型散热焊盘，用于将热量传输到 PCB 上的散热器或覆铜层。
实现可靠开关需要考虑哪些栅极驱动因素？
20V 栅源额定值设定了最大允许栅极驱动
设计人员应在此限值范围内选择栅极电压，并在调整驱动器尺寸时考虑 67nC 栅极电荷。
设备类型如何影响电路拓扑选择？
作为增强型 N 通道 MOSFET，其导通需要相对于源极施加正栅极驱动电压，因此适用于低边开关和同步整流电路。