Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=80 A, 8针, TDSON, BSC070N10NS5系列

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包装方式：
RS 库存编号:
171-1963P
制造商零件编号:
BSC070N10NS5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

TDSON

系列

BSC070N10NS5

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

10.2mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

83W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

30nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

长度

5.49mm

宽度

6.35mm

标准/认证

No

高度

1.1mm

汽车标准

否

Infineon BSC070N10NS5 系列 MOSFET，80A 最大连续漏极电流，80V 最大漏源电压 - BSC070N10NS5ATMA1


该 MOSFET 是一款高电流 N 通道增强型设备，专为表面安装功率级而设计。它专为需要紧凑安装和稳健传导的开关和功率转换环境而设计。该组件可在宽温度范围内运行，专为需要大量电流处理和栅极驱动容差的应用而设计。

特性和优点：


• 极低的 Rds(on) 10.2 mΩ，可降低传导损耗
• 连续漏极电流高达 80A，支持重载运行
• 最大 Vds 80V，适用于中压电源系统
• 典型栅极电荷为 30 nC，可实现高效开关控制
• 峰值功耗为 83W，可应对热应力
• 栅源极限为 20V，可保护驱动电路

应用


• 适用于同步降压转换器级
• 非常适用于电机驱动半桥组件
• 与高电流 DC-DC 转换器配合使用
• 可用于服务器配电模块
• 适用于电信整流和开关设备

该设备在运行过程中可承受哪些极端温度？


它专为在 -55 °C 至 150 °C 的温度范围内可靠运行而设计，适用于苛刻的热环境。

它使用多少针脚？采用哪种安装方式？


该封装包含八个引脚，采用 TDSON 表面安装形式，可实现紧凑的 PCB 布局。

用于切换的通道类型和模式是什么？


该晶体管在增强模式下使用 N 型通道，需要正栅极驱动才能导通。

哪些物理尺寸会影响电路板布局和布置？


主体长度为 5.49mm，宽度为 6.35mm，高度为 1.1mm，为封装尺寸和间隙设计提供依据。

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