Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 80 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, BSC070N10NS5系列
- RS 库存编号:
- 171-1963P
- 制造商零件编号:
- BSC070N10NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 171-1963P
- 制造商零件编号:
- BSC070N10NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | BSC070N10NS5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5.49mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 6.35 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 BSC070N10NS5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 10.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 5.49mm | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 6.35 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon BSC070N10NS5 是 100 V OptiMOS 5 功率 MOSFET。此 MOSFET 经优化可用于同步整流，特别适用于高切换频率。此 MOSFET 具有最高的系统效率，并减少开关和传导损耗。
经优化可用于高性能 SMPS
通过 100% 雪崩测试
出色的耐热性能
N 通道